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Fairchild发布PowerTrench MOSFET令电源满足80 PLUS镀银规范
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Fairchild半导体为设计人员带来高效的同步整流MOSFET方案，令电源满足80 PLUS镀银规范。FDP025N06, FDB024N06, FDP032N08, FDB031N08, FDP047N10及FDB047N10 60V到100V MOSFET采用Fairchild先进的PowerTrench工艺，将导通阻抗降至最小，同时，保持出色的转换性能及耐用度。相对于在高电流传导模式下，受较高压降限制的传统二极管解决方案，新的Power Trench MOSFET以其超低RDS(ON) (1.9mΩ典型值, FDP025N06)实现了 百分之一的效率提升，满足了高功率应用如台式机、服务器及电信电源等所需的80 PLUS镀银规范。为了符合严格的ENERGY STAR商标要求，计算应用必须在20%的额定输出负载下提供85%的电源。
上述产品使用了无铅(Pb-free)终端，具有符合IPC/JEDEC标准J-STD-020无铅回流要求的湿度敏感性特性， Fairchild所有产品均满足欧盟RoHS（电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令）要求。
交货期: 8 周 ARO
样品: 按需提供
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