新型无底SO-8封装功率MOSFET

关键词：电源 MOSFET

时间：2002-08-19 11:56:00 来源：中电网

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7月31日讯，快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出十八种新型N沟MOSFET，它封装在业界第一个无底封装，结合了比TO-263(D²-PAK)好得多的热性能和很低的导通电阻的优点。这种先进的无底封装有以下的优点：1)由于降低了芯片温度，可靠性和效率都更好，2)由于更低封装热阻，效率更高，3)每PCB面积有更高的电流能力，4)由于更低的封装电感和更低的栅电阻，降低开关时间，5)标准的SO-8封装，占位和出脚都兼容。

这十八种新产品包括用于48V通信中的DC/DC变换的150V MOSFET的两种，200V的两种V；用于正向DC/DC变换和半桥变换器的40V的六种；用在计算机和同步整流器中的20V的四种和30V的四种。下表是20V和30V MOSFET的主要性能。

下表为150V，200V和40V MOSFET的主要性能。

下图为产品外形图，详情请上网：www.fairchild.com

2002.08.19

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