BGA封装的双N/P沟的MOSFET

关键词：电源 MOSFET

时间：2002-08-19 11:58:00 来源：中电网

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7月29日讯，快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种BGA封装的双N沟和双P沟的20V MOSFET，其物理特性和电性能都适合用在锂离子电池盒保护应用。四种器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安装的OSFET BGA封装，其漏极是共用的。BGA封装具有小的占位面积(10平方mm),很小的体积(最大安装高度0.8mm)，极好的导通电阻和杰出的热性能，这进一步又减少散热片的尺寸。这种双N沟和双P沟的20V MOSFET还可用在计算机/EDP，通信，手提，工业设备和无线通信产品如手机，PDA，MP3播放器和手提POS终端。

和其它有引线封装相比，它的体积比TSOP-6封装减少21%，导通电阻降低了79%(28毫欧姆对135毫欧姆)。下表是它们的主要特性。

下图为产品的外形图。详情请上网：：www.fairchild.com

2002.08.19

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