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时间：2002-09-23 10:32:00 来源：中电网
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”| 9月20日讯，安森美半导体推出专有封装技术PInPAKTM作为NIS3001的平台。NIS3001是一款用于直流/直流转换器的电源管理器件，它将一个"套装"模拟驱动器和多个MOSFET集成在单个10.5 mm x 10.5 mm大小的无引线封装内。 该器件在1MHz下电流高达20安培，显著提高了电源系统的功效，同时在计算机与电信平台的主板占用空间减小了50%。NIS3001现为主要客户提供样品，并计划于2003年初投入生产。 由于微处理器通常要求每个电源系统的电流达到15安培，而输出电压为1.5伏及以下，因此如何设计出在更低输出电压下提供更高电流的直流/直流转换器，成了计算机主板设计人员面临的重大挑战。而传统上采用低频分立器件的方法不能充分满足这些电源系统的要求。 NIS3001填补了这项技术空缺，它在1MHz下能提供高达20安培的电流。它还能将先进微处理器平台上的电源功效提升4%。NIS3001率先采用安森美半导体创新的PInPAK?(电源集成封装)技术。该技术理念包括在标准QFN封装内装配模拟驱动器裸芯片。然后该模拟QFN连同两块MOSFET裸芯片共同封装在一个主电源QFN导线架内。接下来，整个模块以Mold Array Process (MAP)塑模。 安森美半导体副总裁兼集成电源器件部总经理Ramesh Ramchandani说："将全面测试过的模拟驱动器封装与分立开关共同封装，这是直流/直流转换器的创举。这种封装套封装的方法确保了'高良率裸片'，并提高了高频电源设计的性能，更简化了混合技术的制造程序。" NIS3001由QFN封装的CMOS模拟门驱动器NCP5351和两个MOSFET裸芯片组成。高边的NTC60N02R和低边的NTC95N02 MOSFETs结合了安森美半导体的专利HD3E平面技术，具有世界级转换性能。NIS3001内具有导通电阻极低(2.6 毫欧)的用作同步MOSFET的器件，和速度极快以控制MOSFET的器件。 NIS3001应用在符合VRM 9和VRM 10电源规范的直流/直流转换器和通信降压转换器上，它设计简洁，寄生电感极低，转换性能良好。此外，门驱动器和MOSFET之间配合完善，使延迟时间达到最小。 NIS3001面积仅为10.5 mm x 10.5 mm。因而，与单个SO-8驱动器配合两个D2PAK或四个DPAK MOSFET的分立器件方法相比，它大幅缩小电路板空间占用达50%。采用分立器件方法需占用0.58平方英寸电路板空间，而NIS3001仅占用0.17平方英寸。(参见下图。) 安森美半导体在电源密度上取得的这一突破，可使设计人员设计出电流密度达每平方英寸10安培的先进微处理器电源。采用分立器件通常仅能获得每平方英寸5安培的电流密度。这一领先技术也有助于大大节省电源在日渐缩小的电路板的占用空间。 |
| NIS3001如左下图所示。 |
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NIS3001现可提供限量样品。详情请上网：http://www.onsemi.com |
2002.09.23 |
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