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Peregrine的3G手机用增强性能RF开关PE42672

关键词:3G手机 GSM WCDMA EDGE PCS DCS RF

时间:2005-11-04 16:26:00      来源:中电网

RF开关PE42672和PE42660主要用于GSM和四波段EDGE/PCS/DCS/WCDMA手机

11月3日讯, Peregrine半导体公司推出两种用于GSM和四波段EDGE/PCS/DCS/WCDMA手机的RF开关PE42672 SP7T和PE42660 SP6T.这两种器件是基于公司的HaRP增强的UltraCMOS工艺.公司声称,HaRP技术能改善谐波失真,线性度和整个RF性能,同时还能降低互调失真(IMD).

PE42672是带板上CMOS译码器的单片SP7T开关,它的工作频率从100MHz到3GHz.公司声称,高度集成的平台由于降低了整个元件数量而简化和降低RF设计的成本,仅需要6个器件和13条焊线.PE42660开关能替代公司的PE4263 GSM手机开关.两种器件有极好的线性度: PE42672的线性度为 2fo -85dBc 和3fo -79dBc; PE42660的线性度为2fo -88dBc和3fo -85dBc,而IP3则优于+70dBm,ESD保护为1.5KV,工作电压2.75V,并具有超低的功耗.

PE42672和PE42660还能分别提供如下的功能:900MHz的TX-RX隔离为44dB/48dB,1900MHz时为38dB/40dB;P1dB压缩点41dBm,900MHz时的插入损耗为0.5dB.片内的CMOS译码逻辑方便了1.8V和2.75V三引脚CMOS控制输入,不需要隔离电容和片内SAW滤波器过压保护,从而保证了容易集成.
公司声称,它的UltraCMOS混合信号工艺技术是在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)专利技术,能比同类工艺技术如GaAs, SiGe BiCMOS和本体硅CMOS有更大的性能优势,在RF的应用,RF性能,低功耗和集成度是极为重要的.

器件以裸芯片的形式提供.25K量的单价,PE42672为$0.70.10K量的PE42660的单价为$0.60.现在可提供样品.

下图为芯片的外形图.详情请上网:www.psemi.com


11月3日讯, Peregrine半导体公司推出两种用于GSM和四波段EDGE/PCS/DCS/WCDMA手机的RF开关PE42672 SP7T和PE42660 SP6T.这两种器件是基于公司的HaRP增强的UltraCMOS工艺.公司声称,HaRP技术能改善谐波失真,线性度和整个RF性能,同时还能降低互调失真(IMD).

PE42672是带板上CMOS译码器的单片SP7T开关,它的工作频率从100MHz到3GHz.公司声称,高度集成的平台由于降低了整个元件数量而简化和降低RF设计的成本,仅需要6个器件和13条焊线.PE42660开关能替代公司的PE4263 GSM手机开关.两种器件有极好的线性度: PE42672的线性度为 2fo -85dBc 和3fo -79dBc; PE42660的线性度为2fo -88dBc和3fo -85dBc,而IP3则优于+70dBm,ESD保护为1.5KV,工作电压2.75V,并具有超低的功耗.

PE42672和PE42660还能分别提供如下的功能:900MHz的TX-RX隔离为44dB/48dB,1900MHz时为38dB/40dB;P1dB压缩点41dBm,900MHz时的插入损耗为0.5dB.片内的CMOS译码逻辑方便了1.8V和2.75V三引脚CMOS控制输入,不需要隔离电容和片内SAW滤波器过压保护,从而保证了容易集成.
公司声称,它的UltraCMOS混合信号工艺技术是在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)专利技术,能比同类工艺技术如GaAs, SiGe BiCMOS和本体硅CMOS有更大的性能优势,在RF的应用,RF性能,低功耗和集成度是极为重要的.

器件以裸芯片的形式提供.25K量的单价,PE42672为$0.70.10K量的PE42660的单价为$0.60.现在可提供样品.

下图为芯片的外形图.详情请上网:www.psemi.com

 
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