“LTC4447用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。
”| Linear推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4447，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器加上功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器，就可组成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 LTC4447 在一个 4V 至 6.5V 的电压范围内对上端和下端 MOSFET 栅极进行轨至轨驱动，并可从一个高达 38V 的电源电压获取工作电源。这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 的电流，并提供高达 3.2A 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4447 还可以为较大电流应用驱动多个并联的 MOSFET，它含有一个集成的自举肖特基二极管。在驱动一个 3000pF 的负载时，高端 MOSFET 非常快的 8ns 上升时间、7ns 下降时间和低端 MOSFET 的 7ns 上升时间、4ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗并提高了效率。该器件集成了自适应贯通保护功能，以防止高端和低端 MOSFET 同时导通，并最大限度地缩短死区时间。 LTC4447 有一个用于电源级停机的 3 态 PWM 输入，与使用 3 态输出功能的单相和多相控制器兼容。此外，它具有一个用于输入逻辑电路的单独电源，以实现控制器 IC 与驱动器和逻辑电源上欠压闭锁电路的信号摆幅进行匹配。 LTC4447 采用扁平 (0.75mm) 3mm x 3mm DFN-12 封装，在 -40°C 至 85°C 的温度范围内工作，以 1000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。 性能概要：LTC4447 同步 N 沟道 MOSFET 驱动器 大驱动电流：提供 3.2A，吸收 5A 38V 最大电源电压 4V 至 6.5V 栅极驱动电压 集成自举肖特基二极管 自适应贯通保护 高端栅极：驱动 3000pF 负载时，上升时间为 8ns，下降时间为 7ns 低端栅极：驱动 3000pF 负载时，上升时间为 7ns，下降时间为 4ns 3 态 PWM 输入用于电源级停机 轨至轨输出驱动器 |
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