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Linear推出高频高输入电源电压MOSFET驱动器LTC4446

关键词:高频 高输入电源电压 MOSFET驱动器 LTC4446

时间:2008-07-03 15:27:00      来源:中电网

Linear推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446,用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起,可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器,或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。

这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流,而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可提供 3A 的电流,从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动一个 1000pF 负载时,高端 MOSFET 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。

LTC4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源,在比地电平高 114V 时还可以工作。另外,该器件在 7.2V 至 13.5V 的电压范围内同时驱动高端和低端 MOSFET 栅极。

LTC4446EMS8 和 LTC4446IMS8 采用耐热增强型 MSOP-8 封装,以 1000 片为单位批量购买,每片价格为 1.69 美元。

性能概要:LTC4446
高端/低端 N 沟道 MOSFET 驱动器
最高电源电压为 100V
非常适用于双晶体管正激式转换器
高压开关应用
大驱动电流:在下拉阻抗为 0.55Ω 时提供 3A 电流
7.2V 至 13.5V 的栅极驱动电压
高端栅极:驱动 1000pF 负载时上升时间为 8ns,下降时间为 5ns
低端栅极:驱动 1000pF 负载时上升时间为 6ns,下降时间为 3ns
为栅极驱动电压提供欠压闭锁
耐热增强型 MSOP-8 封装



 

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