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ST推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片

关键词:串行总线EEPROM存储器 I2C Fast-Mode I2C Fast-Mode-Puls

时间:2008-07-18 17:32:00      来源:中电网

1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片,存储密度分别为256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit,兼容I2C Fast-Mode-Puls模式,数据速率可达I2C Fast-Mode 的2.5倍。

ST推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片,存储密度分别为256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit,兼容I2C Fast-Mode-Puls模式,数据速率可达I2C Fast-Mode 的2.5倍。工作频率为1MHz,M24M01-HR完成1-Mbit的数据处理只需1秒钟;256-Kbit的M24256-BHR只需四分之一秒;512-Kbit的M24512-HR完成数据处理只需半秒钟。

这些新的双线串行总线EEPROM支持多种访存模式,包括按字节写入模式以及按64字节、128字节 和 256字节页的写入模式、随机写入模式、顺序写入模式、自动递增寻址。除简化芯片在目标应用中的设计外,这些寻址模式还有助于工程师改进系统性能和功耗问题。新产品提供一个写控制输入引脚,同时,三支引脚让一条总线上可连接多达8个设备。为方便在低压或标准电压系统中采用,三款新产品都有不同版本,工作电压从 1.8V到5.5V或2.5V到5.5V。

ST先进的制造工艺让新产性能非凡,兼有1MHz的读写速度、竞争力的价格和三款微型表面贴装,TSSOP8和3.8mm宽(150 mils)的SO-8封装,厚度分别为1.2mm 和1.75mm,可用于纤薄的消费电子产品中(如数字电视)。所有封装均使用ST的ECOPACK? 环保技术,这项技术符合全球的绿色封装标准,包括欧盟的有害物质限用(RoHS)法规。

新产品还具有很好的耐用性,标称擦写循环100万次,数据保存期限40年以上。

SO-8封装的256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit样片、TSSOP封装的256-Kbit和512-Kbit样片现已上市。

详情见:www.st.comwww.stmicroelectronics.com.cn




 
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