Cypress推出2 Mbit和8Mbit nvSRAM CY14B102/8

CY14B102 2 Mbit nvSRAM 与 CY14B108 8 Mbit nvSRAM 均符合 ROHS 指令，可直接取代SRAM、电池供电的 SRAM、EPROM 及 EEPROM 器件，毋需安装电池就能确保可靠的非易失性数据存储。断电时，数据可自动从 SRAM 传输到 nvSRAM 器件的非易失性存储单元。通电时，数据则能从非易失性存储器恢复到 SRAM 中。上述两种操作都能通过软件控制实现。新型 nvSRAM采用赛普拉斯的 S8 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (SONOS) 嵌入式非易失性存储器工艺制造而成，具有更高的密度、更短的存取时间以及高出色的性能。

2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM 支持实时时钟特性，既能实现业界最低的待机振荡器电流，又能确保集成存储器的最高性能，从而在非易失性存储器的支持下可实现事件时间戳功能。

nvSRAM 是业界最佳的高速非易失性存储器解决方案，相对于电池供电的 SRAM 而言，其板级空间更少、设计复杂性更低，而且比磁性随机存储器 (MRAM) 或铁电存储器 (FRAM) 更加经济可靠。2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM是赛普拉斯nvSRAM 产品系列中的最新成员，该系列旗下目前已实现量产的其它产品还包括16 Kbit、64 Kbit、256 Kbit、1 Mbit和4 Mbit的器件。

作为 SONOS 工艺技术的领先公司，赛普拉斯将在新一代 PSoC? 混合信号阵列、OvationONS 激光导航传感器、可编程时钟及其它产品中采用 S8 技术。SONOS 与标准 CMOS工艺高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗辐射加固等众多优势。此外，SONOS 相对于其它嵌入式非易失性存储器技术而言，也是一款更稳健、更易于制造、更低成本的解决方案。

供货情况与产品照片
赛普拉斯的 2 Mbit和 8 Mbit的 nvSRAM 目前已提供样品，预计将于 2008 年第三季度开始投产。上述产品可采用 48 引脚 FBGA 封装以及 44 引脚和 54 引脚的 TSOPII 封装。此类非易失性 SRAM 是根据赛普拉斯公司此前与西姆泰克公司（Simtek Corporation）签订的协作产品开发协议而共同开发的器件系列中的第二批产品。

详情见：www.cypress.com/go/pr/photos/2M8MnvSRAMs。

关于赛普拉斯的 nvSRAM 产品
赛普拉斯的nvSRAM使用存储于外部电容器（而非电池）内的电量，使产品更适用于标准印刷电路板（PCB）组装流程。该系列产品可采用如下不同配置：8 Mbit/3V、4 Mbit/3V、2 Mbit/3V、1 Mbit/3V、256 Kbit/3V、256 Kbit/5V、64 Kbit/5V 以及 16 Kbit/5V 等。这些产品具有高度的可扩展性，其中1 Mbit 和 256 Kbit 的产品采用32 引脚SOIC和48引脚SSOP小型封装。8 Mbit、4 Mbit 和 2 Mbit的产品采用 48 引脚 FBGA 封装、44引脚TSOPII 封装和 54 引脚 TSOPII 封装。nvSRAM产品系列支持引脚兼容的升级，以满足更高的密度及实时时钟要求。

在RAID应用中，即使在电量耗尽时， nvSRAM 也能在确保数据完整性的情况下进行高速数据传输。用于复印机中的 nvSRAM 产品能够实现数据的高速存取而不需要电池。得益于nvSRAM 提供的数据缓冲功能，手持仪表能够实现服务器加载数据的高速读取。