IR推出系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET

IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。

新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术，可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ，显著改善了热效率。此外，这些器件具有更高的电流额定值，多余瞬变可以带来更多防护频带，并可减少由多个MOSFET共享高电流的并行拓扑结构的元件数目。与典型封装额定值相比，由于封装电流额定值高达195A，TO-220、D2PAK和TO-262封装的改善超过了60%；与标准D2PAK封装相比，7引脚D2PAK进一步降低了多达16%的RDS(on) ，功能更为完善。

新型逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围为40V至100V。该系列已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证，更具备所有标准功率封装，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引脚D2PAK。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品的基本规格如下：