Maxim推出850MHz至1550MHz上/下变频SiGe混频器MAX2051

Maxim推出业内性能最佳的完全集成、850MHz至1550MHz SiGe无源混频器MAX2051。器件专为多载波电缆前端下行视频、电缆调制解调器终端系统(CMTS)、视频点播和DOCSIS兼容的边沿QAM调制以及无线基础设施等应用而设计，在较宽的50MHz至1000MHz IF频带内具有优异的线性度和杂散抑制性能。当配置为下变频器时，该单个IC提供35dBm的IIP3、24dBm的IP1dB、7.4dB的转换损耗和7.8dB的噪声系数。此外，在整个50MHz至1000MHz IF频带内，器件具有优异的2 x 1、2 x 2和3 x 3杂散抑制，典型值分别为88dBc、79dBc和101dBc (输入电平为-14dBm)。器件极高的线性度和优异的杂散抑制性能对于确保电缆前端系统中的50MHz至1000MHz DOCSIS兼容传输十分重要。

作为上变频器使用时，MAX2051具有同样优异的性能：IIP3为33.4dBm、转换损耗仅为7.5dB、LO ±2IF抑制优于61dBc、LO ±3IF抑制优于78dBc。器件理想用于点对点和点对多点的微波及固定带宽无线接入基站应用，这些应用需要覆盖850MHz至1550MHz频带的一次和二次IF上变频级。

Maxim专有的SiGe工艺使MAX2051在单个芯片中集成了先进的双平衡混频器内核以及一个LO放大器、2个非平衡变压器和多个分立元件。与类似的竞争方案相比，MAX2051减少了72%的电路板空间和25%的分立元件数量。器件优异的杂散性能还简化了相邻谐波分量的滤波要求，从而使滤波器设计更为简单、尺寸更小、性价比更高。

为实现混频器较宽的IF范围，MAX2051包含了同样宽范围的LO缓冲电路，该电路针对1200MHz至2250MHz频带的高端LO注入架构进行了优化。片上0dBm LO驱动缓冲器提供±3dB的驱动差异控制，从而在整个温度、电源和输入功率范围内保证了增益、噪声系数和IIP3性能的稳定性。MAX2051在-40°C至+85°C工业级温度范围内具有优异的0.01dB/°C增益变化性能。MAX2051提供紧凑的5mm x 5mm、20引脚TQFN无铅封装。