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ON Semiconductor推出DSN-2封装的静电放电(ESD)保护器件

关键词:ESD11N5.0ST5G ESD11B5.0ST5G DSN-2封装 静电放电(ESD)保护器件

时间:2009-06-25 13:24:00      来源:ESD11N5.0ST5G,ESD11B5.0ST5G

ESD11N和ESD11B保护器件采用超小型0201 DSN-2封装,将占用的电路板空间减少70%,并提供业界最佳的钳位性能

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件。这DSN型封装尺寸仅为   0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利用封装面积,与采用塑模封装的产品相比,提供显著的性能/电路板面积比优势。

安森美半导体采用这新型封装的首批产品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G,扩展了公司高性能片外ESD保护产品系列。安森美半导体将ESD保护产品系列以业界最小的封装面市,实力又进一步。这最新ESD产品系列非常适用于保护如手机、MP3播放器、个人数字助理(PDA)和数码相机等极之讲究电路板空间的便携应用中的数据线路。

ESD11N和ESD11B是安森美半导体下一代的专有ESD保护技术,提供骄人的钳位电压。安森美半导体结合业界最低的钳位电压及最小的封装,提供无与伦比的ESD保护选择。这些产品减少的尺寸及双向单线的设计提供极灵活及简单的布线,适用于种种空间受限的应用。新的0201 DSN-2封装尺寸仅为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3mm,与常见的SOD-923(也称0402)封装相比,节省3倍的电路板空间。

ESD11N这0.6皮法(pF)器件,利用安森美半导体的专利集成ESD技术,提高钳位性能,同时维持低电容。低电容值确保这器件几乎不影响高速数据线路的信号完整性,使其非常适用于USB 2.0和高清多媒体接口(HDMI)等应用。此外,ESD11N在达3千兆赫(GHz)频率时维持低于0.5分贝(dB)的插入损耗,并在不同电压和频率范围内维持极佳的电容线性度,故适合保护高频天线线路,而影响极小。而ESD11B这15 pF器件,将安森美半导体的低钳位电压ESD保护技术扩展至新的0201 DSN-2封装,为需要以有限空间设计紧凑电路板的通用及低速数据线路提供保护选择。  

两款新的ESD产品都在数以纳秒(ns)计的时间内,钳位符合IEC61000-4-2接触放电标准的8千伏(kV)输入ESD波形至不到10伏(V)。这钳位性能业界领先,连最敏感的集成电路也能保护到。

封装和价格
ESD11N5.0ST5G采用0201 DSN-2封装,每10,000片批量的单价为0.098美元。ESD11B5.0ST5G采用0201 DSN-2封装,每10,000片批量的单价为0.039美元。

安森美半导体并在开发0201 DSN-2封装的肖特基二极管,计划于本月稍推出。

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