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VT1080/2080/3080S/VT1080/VT2080/3080C:肖特基整流器

关键词:TMBSTrench MOS势垒肖特基整流器

时间:2010-03-16 14:20:34      来源:VT1080/2080/3080S/VT1080/VT2080/3080C

Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装,具有10A~30A的电流额定范围。

Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装,具有10A~30A的电流额定范围。

该件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装。

凭借低至0.57V的极低前向电压降和优异的雪崩容量,在高频电源适配器、开关电源(SMPS)、桌面PC、服务器和LCD电视中,这些整流器能够减小续流二极管、AC-DC和DC-DC转换器的功率损耗并提高效率。Vishay公司新款TMBS整流器现可提供样品,并已实现量产。

VT1080S, VFT1080S, VBT1080S, VIT1080S产品特性

• 沟道MOSFET与肖特基技术;

• 低前向电压降, 低能耗;

• TO-263AB封装的潮湿敏感度等级为1,符合per J-STD-020规范,无铅最高峰值温度为245℃;

• TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装的最大浸锡温度为275℃,时间为10秒钟,符合per JESD 22-B106规范;

• 最大结温为150℃,符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。

详情见:www.vishay.com


VT1080S, VFT1080S, VBT1080S, VIT1080S产品图



GEC

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