NXP推出采用2 mm x 2 mm无引脚封装的低VCEsat双晶体管

NXP推出业内首款双晶体管产品，具有低饱和电压特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平无引脚）封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市，它们的集电极电压(V_CEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

这些超小型双晶体管的集电极电流(I_C)最大值可达2 A，能够处理高达3 A的峰值电流。同时，它们的效率极高，具有低至60 mV的超低饱和电压 (PBSS4230PANP)，使其针对移动应用具有更低的功耗和更长的电池寿命。采用DFN2020-6封装的全新双晶体管非常适合用于负载和电源开关、智能手机和平板电脑等便携式应用中的电源管理和充电电路、背光装置以及其他空间受限型应用。恩智浦采用DFN2020封装的所有全新低V_CEsat双晶体管产品均符合AEC-Q101汽车标准。

DFN2020-6比标准SO8封装小8倍，具有出色的热功耗能力(P_tot = 1 W)。具有热沉的DFN封装仅0.6mm高，因此可替代SO8或SOT457等许多尺寸较大的晶体管封装。

全新的DFN2020封装类产品丰富了恩智浦的低V_CEsat晶体管产品组合，目前已包括36款采用无引脚和标准SMD封装的双晶体管，以及250多种高达500 V和7 A的单晶体管。

链接

·恩智浦采用DFN2020-6封装的全新低V_CEsat双晶体管：http://www.nxp.com/group/10921   

·集电极电压最高的全新产品（PBSS4112PAN，120 V，1 A NPN/NPN）：http://www.nxp.com/pip/PBSS4112PAN      

·饱和电压最低的全新产品（PBSS4230PANP，30 V，2 A NPN/PNP，V_CEsat：60 mV）：http://www.nxp.com/pip/PBSS4230PANP    

DFN2020-6 (SOT1118)封装信息页面：http://www.nxp.com/packages/SOT1118.html