Microsemi推出新型750W GaN on SiC RF功率晶体管

Microsemi推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)衬底氮化镓(gallium nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)技术的射频(radio frequency，RF)功率晶体管系列。在全系列空中交通管制和防撞设备中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。目标应用包括商用二次监视雷达(secondary surveillance radar，SSR)，在全球各地用于大约200英里范围内机场地区和区域中心的飞机询问和识别。

美高森美公司RF集成解决方案部门副总裁兼总经理David Hall称：“作为RF解决方案的领导厂商，美高森美的声望是建立在30年的经验，杰出的工程技术团队，以及专注提供突破性能和可靠性限制的新产品方面。从元器件到组件和定制封装，我们将继续投资所需的技术和设备，进一步巩固我们的领先地位，并且为我们的客户提供更好服务。”

当在1030/1090MHz下工作，MDSGN-750ELMV提供了无与伦比的750 W峰值功率和17分贝(dB)功率增益及典型的70%漏极效率性能，在覆盖此频带的此类单端器件中具有最大的功率。

此外，对于1030MHz地面询问机和1090MHz机载应答机这两者，新的RF器件能够应对严苛的商业S模式 (Mode-S)扩展长度信息(Extended Length Message，ELM)脉冲条件，并且可以用于高性能地面输出级。通过在区域场所中促进共享天气和飞机空中交通态势感知信息的沟通，ELM使得空中旅行更安全。在商用空对空(air-to-air)交通警告和防撞系统(collision avoidance systems，TCAS)及敌我识别(Identify Friend or Foe，IFF)系统中，它也是理想选择，这些系统都是在特定地区中保护飞机所必需的。

关键技术特性：

ELM脉冲格式 -       脉冲数量48脉冲：      32 us(通)/ 18 us(断)
　　　　　　　　　　脉冲重复周期：        24毫秒
　　　　　　　　　　长期占空比：          6.4%
出色的输出 功率：                         750 W
高功率增益：                              >17.2分贝最小值
极好的漏极效率：                          70%漏极效率
漏极偏压 - Vdd:                           +50 V
击穿电压(BVdss)                           >200V
低热阻：                                  0.24 ℃/W
-40 至 +85℃范围功率输出温度稳定性:       < ±0.7分贝

GaN on SIC HEMT器件具有超越替代工艺技术的数项优势，包括更高的功率性能、节省材料成本(BOM)成本和减少器件占位面积。例如，MDSGN-750ELMV具有如下优势：

单端设计采用简化的阻抗匹配，替代需要额外组合水平的低功率器件。 最高的峰值功率和功率增益简化系统功率级数和末级组合数量 单端输出级对提供带有余量的1.5 kW峰值输出功率 四个输出级对组合提供全系统>5 kW的峰值输出功率 50V 偏压允许使用现有的电源轨，减少DC电流需求 极其稳健的性能提升系统良率 相比采用硅双极面结型晶体管(silicon bipolar junction transistors，Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal oxide semiconductor，LDMOS)器件，放大器尺寸减小了50% 击穿电压动态余量比硅双极型和硅LDMOS器件大得多，并且在更高的结温下工作，提供更稳健的运行和更长的MTTF。 在-55至+85℃范围的出色温度稳定性

除了RF元件，美高森美的商用航空产品组合包括：FPGA、TVS二极管、集成标准和定制产品、集成电路、电源调节和管理元件及模块、专用集成电路(ASIC)、微波器件和元件、高密度内存产品、定制半导体封装和集成配电系统。

封装和供货

美高森美公司提供单端型(single-ended)封装MDSGN-750ELMV，采用100%高温镀金(Au)制造并将导线密封在焊封封装中，具有长期可靠性。