恩智浦推出业界首款采用LFPAK56 (Power SO-8)封装的双极性晶体管

恩智浦半导体今日推出首款采用5 mm x 6 mm x 1 mm超薄LFPAK56 (SOT669) SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60 V和100 V低饱和晶体管构成，集极电流最高为3 A (IC)，峰值集极电流(ICM)最高为8 A。新型晶体管的功耗为3 W (Ptot)，VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装（如DPAK）的双极性晶体管，其占用面积也减少了一半。

恩智浦LFPAK封装采用实心铜夹片和集极散热片设计，这是实现如此之高功率密度的基础，因为这种设计大幅降低了封装的电阻和热阻。LFPAK同时还消除了众多竞争DPAK产品中使用的焊线，使恩智浦得以大幅提高机械坚固度和可靠性。

新款LFPAK56双极性晶体管经过AEC-Q101认证，适用于多种汽车应用，最高支持175°C的环境温度。这些新型低VCEsat晶体管还可用于背光、电机驱动和通用电源管理等应用。今年，新的双极性晶体管组合将不断推出新品，包括采用LFPAK56D封装的双晶体管以及采用LFPAK56封装的6 A、10 A和15 A高电流型号。

恩智浦半导体晶体管部产品经理Joachim Stange表示：“我们相信，恩智浦LFPAK封装将成为双极性晶体管领域紧凑式电源封装的标准——就如恩智浦LFPAK如今成为MOSFET行业标杆一样。汽车市场尤其需要采用这种封装的双极性晶体管，这为开发出小尺寸、高功率密度和高效率的模块奠定了基础。”

上市时间

采用LFPAK56封装的新型双极性低VCEsat晶体管即将量产上市，产品型号包括：PHPT60603NY/PHPT60603PY、PHPT61003NY/PHPT61003PY和PHPT61002NYC/PHPT61002PYC。

采用LFPAK56D封装的双晶体管以及6 A、10 A和15 A的高电流型号将从2014年第二季度开始发布。