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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列

关键词:IR StrongIRFET系列

时间:2014-04-08 14:45:33      来源:中电网

IR扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))。

IR扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))。

IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻典型值只有500µΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 应用。新器件可使用3.3V、5V或12V的电源轨操作,在20A电流和同样的30 mm2尺寸的封装中,可比同类最佳PQFN器件降低15%的损耗,使设计人员能够在大电流应用内减少器件数量。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“StrongIRFET系列经过扩充后,能够满足市场对动态ORing和电子保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业领先的导通电阻,从而实现无可比拟的功率密度。”

与DirectFET系列的其它器件一样,IRL6283M可提供有效增强电气性能和热性能的顶侧冷却功能,以及旨在提高可靠性的无键合线设计。此外,DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期的设计。同类的高性能封装包含高铅裸片,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。

规格

器件编号

电压

最高 VGS

封装

电流

额定值

导通电阻 (典型/最高)

认证级别

(V)

(V)

(A)

10V

 4.5V

2.5V

IRL6283M

20

12

DirectFET MD

211

.50/.75

.65/.87

1.1/1.5

工业

IRFH8201

25

20

PQFN 5x6B

100*

.80/.95

1.20/1.60

不适用

IRFH8202

.90/1.05

1.40/1.85

IRFH8303

30

.90/1.10

1.30/1.70

IRFH8307

1.1/1.3

1.7/2.1

IRF8301M

DirectFET MT

192

1.3/1.5

1.9/2.4

IR的StrongIRFET系列同时提供采用了行业标准占位面积的PQFN封装器件和不含铅的环保封装,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

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