赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的硅光电池

嵌入式非易失性存储器解决方案的领先供应商赛普拉斯半导体公司，与中国最先进的专业晶圆代工厂上海华力微电子公司（HLMC）日前共同宣布，双方基于赛普拉斯55纳米工艺节点的SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式闪存技术的知识产权（IP），开发出可工作的硅光电池。这些硅光电池是为智能卡和物联网应用而设计。赛普拉斯的SONOS能带来较低的晶圆和裸片成本，以及无与伦比的用于未来深入开发的可扩展性。这一技术和设计IP将于2015年下半年提供给HLMC的大批量投产的客户。

HLMC于2014年1月获得了赛普拉斯55纳米SONOS嵌入式非易失性存储器（NVM）的工艺授权许可。该技术与其他嵌入式NVM方案相比具有显著的优势。为了插入标准的CMOS工艺，SONOS只需三层掩膜，而其他的嵌入式闪存技术则需要另外的9到12层。掩膜数量的减少意味着更低的制造成本。当加入到CMOS工艺之后，SONOS并不改变标准的器件特性或模式，因而能保护已有的IP。SONOS具有与生俱来的高良率和业界最佳的可靠性，10年的数据保存期，10万次编程、擦除寿命，以及对软错误的强大容错性能。赛普拉斯已成功展示了将SONOS扩展至40纳米和28纳米节点的能力，从而加速了未来IP的开发进程。

HLMC副总裁Jack Qi Shu说：“我们很高兴能用赛普拉斯的55纳米SONOS技术实现这一里程碑式的突破。这将为我们的客户带来显著的价值。SONOS是一项性价比很高的工艺，能实现很高的良率。其可靠性和效率对于批量很大的互联网和智能卡应用而言非常重要。”