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IR的电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

关键词:IR 移动应用 IRL6297SD 双N通道 DirectFETMOSFET

时间:2014-12-02 16:32:52      来源:中电网

IR近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。

IR近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。

全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高栅极驱动从12Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列,提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻,可替代采用较大封装的MOSFET,从而节省电路板空间及系统成本。”

所有新产品均不含铅、溴和卤,符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1)及电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

规格

器件

通道类型

配置

封装

VBRDSS
(V)

最大VGS
(V)

4.5V下的

最大导通电阻
(mΩ)

2.5V下的

最大导通电阻
(mΩ)

典型QG
(nC)

IRL6297SD

N

双共漏极

DirectFET SA

20

12

4.9

6.9

54

IRLML2246

P

SOT-23

-20

12

-135

-236

2.9

IRLML2244

P

SOT-23

-20

12

-54

-95

6.9

IRLML6244

N

SOT-23

20

12

21

27

8.9

IRLML6246

N

SOT-23

20

12

46

66

3.5

IRLML6344

N

SOT-23

30

12

29

37

6.8

IRLML6346

N

SOT-23

30

12

63

80

2.9

IRLHS2242

P

PQFN 2x2

-20

12

-31

-53

12

IRLHS6242

N

PQFN 2x2

20

12

11.7

15.5

14

IRLHS6276

N

双独立

PQFN 2x2

20

12

45

62

3.1

IRLHS6342

N

PQFN 2x2

30

12

15.5

19.5

11

IRLHS6376

N

双独立

PQFN 2x2

30

12

82

2.8

IRLTS2242

P

TSOP-6

-20

12

-32

-55

12

IRLTS6342

N

TSOP-6

30

12

17.5

22

11

产品现正接受批量订单。
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