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东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管(SBD)产品

关键词:东芝 1200V碳化硅肖特基二极管 TRS20J120C

时间:2015-02-09 14:01:15      来源:中电网

东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管(SBD)产品:TRS20J120C,它主要适用于400V的高压工业应用系统。通过采用宽带隙半导体SiC材料,我们成功将SBD耐受电压提高到1200V,而如果使用硅材料,最高耐受电压只有200V

东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管(SBD)产品:TRS20J120C,它主要适用于400V的高压工业应用系统。
通过采用宽带隙半导体SiC材料,我们成功将SBD耐受电压提高到1200V,而如果使用硅材料,最高耐受电压只有200V。
另外,因为我们的SiC-SBD采用了结势垒肖特基(JBS)结构,从而相比于传统的SBD结构能降低泄漏电流,当应用于高电压和大电流时,它也能稳定工作。

The package photograph of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

应用

·开关电源中的功率因素校正

·高效的DC-DC转换器

·光伏逆变器

·不间断电源(蓄电池)

·车用无线电源

产品特性/轮廓图

产品特性

·高的峰值正向电压:VRRM=1200V

·保证T=175°C

·低的重复峰值反向电流:IRRM=90μA(最大值)

·大的I2t限值:I2t=112.5A2s

·在高温条件下较低的恢复损耗

·采用JBS结构

The illustration of features of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

轮廓图

The illustration of outline drawing of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

电路实例 开关电源

The illustration of circuit example of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

逆变器电路的回流二极管

The illustration of circuit example of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

主要规格

TRS20J120C的主要规格(@Ta=25°C)

器件型号

封装

绝对最大额定值

VFM最大值
@IF=20A
(V)

IRRM最大值
@VR=1200V
(μA)

 

VRRM
(V)

IFDC
(A)

I2t
(A2s)

Tj
(°C)

 

TRS20J120C

TO-3P(N)

1200

20

112.5

175

1.7

90

 

 

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