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IDT公司今天宣布推出一款高速多路复用器

关键词:IDT 高速多路复用器 NVDIMM 非易失性的双列直插式存储模块

时间:2015-03-05 09:41:34      来源:中电网

IDT公司今天宣布推出一款高速多路复用器,该产品扩展了IDT公司现有的针对新出现的NVDIMM(非易失性的双列直插式存储模块)生态系统的DDR4产品组合。此外,美光科技(Micron Technology)已选择IDT作为其面向企业级和云端服务器市场的NVDIMM多路复用器首选供应商。

IDT公司今天宣布推出一款高速多路复用器,该产品扩展了IDT公司现有的针对新出现的NVDIMM(非易失性的双列直插式存储模块)生态系统的DDR4产品组合。此外,美光科技(Micron Technology)已选择IDT作为其面向企业级和云端服务器市场的NVDIMM多路复用器首选供应商。

NVDIMM是一个全新的体系架构,它通过把数据备份到诸如闪存等非易失性存储器,可以在包括灾难性停电等特殊事件中提供DRAM(动态随机存取存储器)的数据持久性。多路复用器是NVDIMM架构的关键部件,可以在DRAM和非易失性存储器之间的“存储”和“恢复”操作中使主控制器DRAM存储器隔离。

以往的多路复用器会增大存储器信道的信号完整性负荷,这可能会影响运行速度。 IDT公司的高速多路复用器经过专门设计可以减轻对于存储器信道信号完整性影响,同时使DDR4 NVDIMM应用能够在高达2133MT/s(每秒兆传输)以及更高的总线速率运行。

美光科技计算和网络营销副总裁Robert Feurle 介绍说:“美光科技致力于通过利用持久存储器来显著提高各种应用和系统的性能。我们的团队一直与IDT公司紧密合作来开发一款全新的高速多路复用器,新的多路复用器将用于美光的DDR4 NVDIMM产品。”

该12位总线开关/多路复用器采用的是VFBGA 48引脚封装,拥有小的占位面积,可替代NVDIMM应用中DIMM上的数据缓存。它设有一个先连后断电路(make-before-break circuit),可避免开关时的毛刺。其AC和DC参数也针对DDR4进行了优化,即使与其他类型的DIMM混用时也可确保最高的NVDIMMs存储器信道性能。

IDT公司存储器接口产品副总裁兼总经理Rami Sethi 评论道:“在服务器和存储系统中的持久主存储器潜力正处于实现的非常早期阶段。作为一个领先的DDR4 NVDIMM零部件供应商,IDT公司可提供包括NVDIMM寄存时钟驱动器(RCD)、温度传感器和现在的多路复用器,我们已经与美光科技等领先的公司努力合作,开发能够在同构和异构存储器信道范畴内都可提供同类最佳性能的解决方案。”

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