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Cree公司采用破纪录的高功率射频器件解决TWT雷达系统问题

关键词:Cree公司 TWT雷达系统问题 高功率射频器件

时间:2015-05-15 15:18:33      来源:中电网

科锐公司在氮化镓(GaN)射频器件的领导者,推出了解决了一些长期存在的问题,对于采用传统的雷达系统两个业界领先的GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件行波管(TWT)放大器。基于GaN的固态放大器在50V操作不容易看到的高电压(kV)行波管的电源,从而在故障机制,提供更长的寿命。

科锐公司在氮化镓(GaN)射频器件的领导者,推出了解决了一些长期存在的问题,对于采用传统的雷达系统两个业界领先的GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件行波管(TWT)放大器。基于GaN的固态放大器在50V操作不容易看到的高电压(kV)行波管的电源,从而在故障机制,提供更长的寿命。此外,这样的固态系统提供能力接近即时的没有热身,更长的检测范围,提高目标识别。

从一开始,使这些系统优势的设想,Cree公司的两个新的GaN射频晶体管进行了设计,以提供最高的功率和效率住在一个小的封装尺寸。所述第一装置,一个350W /50Ω全匹配的GaN HEMT是最高功率C波段晶体管可在市场上。第二,一个500W /50Ω的GaN HEMT,最高功率S波段晶体管完全匹配到50Ω的单端​​封装的尺寸。这两款器件将在展示业界首屈一指的技术会议,国际微波研讨会,将于5月17日至21日在亚利桑那州凤凰城。

“Cree的新的C波段和S波段的产品打破电力纪录住在一个小的封装50ΩGaN功率和效率的表现。这种高效的功率晶体管能够达到所需的防御,天气和空中交通管制雷达多千瓦功率放大器的结合经济,“汤姆·德克尔,销售和营销,Cree公司射频主任。 “如果我们认为值得的数字输出功率相对RF至50Ω封装的面积,Cree的350W C波段装置了约3.5倍击败最接近商业化的GaN竞争对手。使用功德的数字相同,Cree的500W S波段设备提升了45%,比其他商业S波段的产品。“

提供典型脉冲饱和功率性能大于400瓦,CGHV59350最常用于在陆基防御和多普勒气象雷达系统。该50Ω,完全匹配的氮化镓HEMT工作在5.2 - 5.9GHz的带宽,具有60%的典型漏极效率,并封装在一个行业标准0.7“×0.9”陶瓷/金属法兰封装。

提供700瓦特典型的饱和RF脉冲功率时,CGHV31500F提供空中交通管制雷达系统。该50Ω,完全匹配的氮化镓HEMT工作在2.7 - 带宽为3.1GHz,具有12分贝功率增益,并封装在一个行业标准0.7“×0.9”陶瓷/金属封装。

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