kywork 推出低损耗高性能宽带DC－8GHz密封砷化镓（GaAs）IC单刀双掷（SPDT）吸收性开关

时间：2015-08-05 10:39:06 来源：中电网

“通过其米尔皮塔斯，加利福尼亚州的子公司Isolink，思佳沃本的公司，MA，USA（该公司生产的模拟和混合信号半导体）推出了低损耗，高性能宽带DC-8GHz的密封砷化镓（GaAs）IC单刀双掷（SPDT）开关吸收。

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通过其米尔皮塔斯，加利福尼亚州的子公司Isolink，思佳沃本的公司，MA，USA（该公司生产的模拟和混合信号半导体）推出了低损耗，高性能宽带DC-8GHz的密封砷化镓（GaAs）IC单刀双掷（SPDT）开关吸收。

适用于高可靠性的空间，卫星和国防应用中，ISO13286执行，具有50dB的隔离，在4GHz的和1.5分贝低损失的4GHz。测试是可用的MIL-PRF-38535 B类和S中，除了所需要的质量一致性检验（QCI）的筛选要求。

该ISO13286模具制造与Skyworks的GaAs伪高电子迁移率晶体管（pHEMT制）的过程，这表明辐射的耐受性100kRad。该器件采用7引脚表面贴装技术（SMT）0.385-英寸×0.345-英寸×0.065英寸封装。

样品和评估板可供选择。价格取决于数量。

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