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富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

关键词:富士通 4 Mbit ReRAM量产产品 可变电阻式存储器 MB85AS4MT

时间:2016-11-08 09:33:15      来源:中电网

富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2合作开发的首款ReRAM存储器产品。

ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术,未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20,数据擦写上限是后者的10倍。

此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备,例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备上有绝佳的表现。

截至目前为止,富士通通过提供具有耐读写及低功耗特性的FRAM(铁电随机存储器),以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非易失性存储器的效能需求。在将新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后,富士通可进一步扩充产品系列,以满足客户多样化的需求。

MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作,还能通过SPI接口支持最高5 MHz的工作频率,并在读取时仅需极低的工作电流(5MHz频率下平均仅消耗0.2mA)。此外,该产品拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。

此全新产品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package),引脚与EEPROM等非易失性内存产品兼容。富士通在微型8-pin SOP封装中置入4 Mbit的ReRAM,超越了串行接口EEPROM的最高密度。

富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备,以及量表与传感器等物联网设备。

富士通预期未来持续提供各种产品与解决方案,以协助客户提升其应用的价值与便利性。

产品规格

组件料号:MB85AS4MT

内存密度(组态):4 Mbit(512K字符x 8位)

界面:SPI(Serial peripheral interface)

工作电压:1.65 – 3.6V

低功耗:读入工作电流0.2mA(于5MHz)

写入工作电流1.3mA(写入周期间)

待机电流10µA

休眠电流2µA

保证写入周期:120万次

保证读取周期:无限

写入周期(256 位/页):16毫秒(100%数据倒置)

数据保留:10年(最高摄氏85度)

封装:209mil 8-pin SOP

词汇与备注

1.可变电阻式内存(ReRAM):

为非易失性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简,由两电极间简易金属氧化物架构组成,使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。松下半导体于2013年即开始量产配备ReRAM的微型计算机。

2.松下电器半导体:

 

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