Vishay发布新的30V N沟道TrenchFET 第四代功率MOSFET－－SiA468DJ

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET^® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK^® SC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm x 2mm塑料封装的30V器件。

今天发布的MOSFET是目前尺寸最小的30V产品之一，比PowerPAK 1212封装的器件小60%，在笔记本电脑、平板电脑、VR头盔和DC-DC砖式电源，无线充电器中的H桥，以及无人机的电机驱动控制中，可用于DC/DC转换和电池管理的负载切换。

SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的极低导通电阻，在这些应用中能减小传导损耗，提高效率。其导通电阻比前一代产品低51%，比最接近的竞争产品低6%。另外，MOSFET的优值系数 (FOM) 针对各种功率转换拓扑进行了优化。

SiA468DJ的连续漏极电流高达37.8A，比前一代器件高68%，比最接近的竞争产品高50%。高漏极电流为会碰到高瞬变电流的应用产品提供了足够的安全余量。MOSFET进行了100%的R_G测试，符合RoHS，无卤素。

SiA468DJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周。