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三菱电机株式会将发售2款“X系列LV100封装HVIGBT模块”,

关键词:三菱电机株式会 X系列LV100封装HVIGBT模块

时间:2017-05-17 17:03:59      来源:中电网

三菱电机株式会社将从9月开始、依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT※1模块”,作为面向电气化铁路、电力等大型工业机器的大容量功率半导体模块的新产品。该模块实现业内最大电流密度※2,有助于实现逆变器的输出功率和效率;并且采用全新封装结构,利于并联应用,实现灵活配置,并提高系统可靠性。今后,计划还将使用性能超过Si(硅片)更具低损耗化与高频动作可能性的SiC※3制成LV100封装产品,以充实产品阵容。

本产品将在 “PCIM Europe 2017”(5月16-18日于德国纽伦堡举行)以及“PCIM Asia 2017”(6月27-29日于中国上海举行)上展出。

※1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor:高压绝缘栅型双极晶体管
※2 截至2017年5月11日,根据本公司的调查
※3 Silicon Carbide:碳化硅
 

新产品的特点

1.实现业内最大的电流密度,有助于实现逆变器的大功率和高效率
・采用三菱电机CSTBTTM※4结构的第7代IGBT和RFC二极管※5硅片技术,作为Si模块实现了业内最大※2的电流密度,高达8.57A/cm2<3.3kV/600A>
・AC输出主端子增加至3个,分散输出电流,缓解主端子的发热状况,实现在大电流工况下可靠运行。
※4 载流子存储式沟槽栅型双极晶体管
※5 Relaxed Field of Cathode Diode:本公司独有二极管,提高了阴极侧电子迁移率
2.便于并联应用,有效支持各个功率段的逆变器
・通过优化端子布局,方便并联应用,有效支持各个功率段的逆变器
3.通过全新封装结构,有助于实现逆变器系统的高度可靠性
・通过绝缘板与散热板的一体化设计,改善热循环寿命※6与功率半导体芯片的散热性,由此实现功率循环寿命※7的提高,并有助于实现高度可靠性
※6 因相对较长时间的温度循环令外壳温度发生变化时的寿命
※7 因相对较短时间的温度循环令芯片温度发生变化时的寿命

发售概要

产品名

型号

额定电压

额定电流

发售日期

X系列LV100封装

HVIGBT模块

CM450DA-66X

3.3kV

450A

自9月起

陆续提供

CM600DA-66X

600A

 
销售目标
 
面向大型工业设备的功率半导体模块,主要用于铁路列车的的驱动系统、电力传输系统和大型工业机械使用的变流器。近年来,公众在节能环保等方面的意识日益增强,因此有助于逆变器实现更高功率、更高效率、更高可靠性及能支持各种逆变器的输出容量的各类产品需求强劲。

本公司此次为响应此类需求,将上市实现电流高密度化并采用全新封装结构的“X系列LV100封装HVIGBT模块”的2款新产品(3.3kV/450A・600A)。此外,预定今后还将推出使用SiC制造的LV100封装产品,以充实产品阵容。

主要规格

封装

型号

额定电压

额定电流

绝缘耐压

結線

封装尺寸

LV100

封装

CM450DA-66X

3.3kV

450A

6kV

rms

2in1

100×140×40mm3

CM600DA-66X

600A

标准(std)

封装

CM1200HC-66X

3.3kV

1200A

6kV

rms

1in1

140×130×38mm3

CM1800HC-66X

1800A

140×190×38mm3

CM1500HC-90XA

4.5kV

1500A

CM900HG-90X

4.5kV

900A

10kV

rms

140×130×48mm3

CM600HG-130X

6.5kV

600A

CM1800HG-66X

3.3kV

1800A

140×190×48mm3

CM1350HG-90X

4.5kV

1350A

CM900HG-130X

6.5kV

900A

CM1000HG-130XA

1000A

商标
CSTBT是三菱电机株式会社的注册商标。

 

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