“亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够保持无限期接通。LTC7001 强大的1Ω栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。
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亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够保持无限期接通。LTC7001 强大的1Ω栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。
LTC7001 用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极电压可能在 0V 至 135V (绝对最大值为 150V) 之间的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动一个 1000pF 负载时，快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。
LTC7001 采用 MSOP-10 封装，其引线配置为提供高压间隔。该器件有 3 种工作结温级版本，扩展和工业级版本的温度范围为–40°C 至 125°C，高温汽车级版本则为–40°C 至 150°C，军用级版本为–55°C 至 150°C。千片批购价为每片 2.40 美元。
照片说明：快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器
性能概要：LTC7001
宽 VIN工作范围：0V 至 135V (150V 绝对最大值)
内部充电泵以实现 100% 占空比能力
1Ω 下拉、2.2Ω 上拉以实现快速接通和断开时间
快速 35ns 传播延迟
可调接通转换率
3.5V 至 15V 栅极驱动器电源
可调驱动器电源VCC欠压闭锁
可调VIN过压闭锁
CMOS 兼容输入
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