中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 
 
  • 首页 > 新品 > 快速60V保护的高压侧N沟道,MOSFET驱动器提供100%占空比能力

快速60V保护的高压侧N沟道,MOSFET驱动器提供100%占空比能力

关键词:快速60V保护 高压侧N沟道 MOSFET驱动器LTC7003 亚德诺半导体

时间:2017-07-14 14:05:41      来源:中电网

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7003,该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003 强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容 MOSFET,因此非常适合高频开关和静态开关应用。

LTC7003 在 3.5V 至 60V (65V 绝对最大值) 输入电源范围内运行,具3.5V 至 15V驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况,这个电阻器与外部 MOSFET 开关的漏极串联。当 LTC7003 检测到开关电流已经超过预设值时,就确定一个故障标记,开关则关断一段时间,关断时间长短由一个外部定时电容器设定。经过预定冷却时间之后,LTC7003 自动重试。

LTC7003 用来接收一个以地为基准的低压数字输入信号,并快速地驱动一个高压侧 N 沟道功率 MOSFET,该 MOSFET 的漏极可比地高 60V。当驱动一个 1000pF 负载时,快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。LTC7003 具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。

LTC7003 采用 MSOP-16 封装。可提供 3 种工作结温级版本,扩展和工业温度级版本的温度范围为–40°C 至 125°C,高温汽车级版本的温度范围为–40°C 至 150°C,而军用温度级版本的温度范围则为–55°C 至 150°C。千片批购价为每片2.30美元。

照片说明:60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器

性能概要:LTC7003   

宽 VIN工作范围:3.5V 至 60V (65V 绝对最大值)

内部充电泵提供100% 占空比能力

1Ω 下拉、2.2Ω 上拉实现快速接通和关断时间

快速 35ns 传播延迟

短路保护

自动重启定时器

开漏故障标记

可调接通和关断转换速率

栅极驱动器电源范围为 3.5V 至 15V

可调电流限制

电流监视器输出

可调输入欠压和过压闭锁

低停机电流:1µA

CMOS 兼容型输入
 

猜你喜欢

  • TI工业机器视觉系统与EtherCAT实时总线伺服系统应用 近些年随着嵌入式处理器性能的不断提高,机器视觉在工业领域的应用已经越来越多。借助TI高性能嵌入式处理器方案,可以实现如产线在线视觉检测,机器人视觉辅助定位,工业三维扫描等工业视觉应用。本次研讨会主要从应用的角度出发,为大家介绍一些实用方案。 新晔电子 & TI     2017年09月21日     注册

    限幅放大器揭秘:应用与设计 在本在线研讨会中,我们将讨论限幅放大器在电子战(EW)系统中的作用。我们还将讨论开发和制造限幅放大器模块所需的设计考虑因素和规格。 ADI     2017年10月18日     注册

    Caffe to Zynq:以不足 5W 的功耗实现业界一流的机器学习推断性能 机器学习的研究正因新的网络架构而日新月异,因此为特定的应用选择最佳的 CNN 算法变成一项困难的工作。鉴于算法的飞速发展变化,高性能且低功耗的需求大幅增加,因此越来越多嵌入式系统开发人员...... 赛灵思     2017年12月19日     注册