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快速60V保护的高压侧N沟道,MOSFET驱动器提供100%占空比能力

关键词:快速60V保护 高压侧N沟道 MOSFET驱动器LTC7003 亚德诺半导体

时间:2017-07-14 14:05:41      来源:中电网

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7003,该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003 强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容 MOSFET,因此非常适合高频开关和静态开关应用。

LTC7003 在 3.5V 至 60V (65V 绝对最大值) 输入电源范围内运行,具3.5V 至 15V驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况,这个电阻器与外部 MOSFET 开关的漏极串联。当 LTC7003 检测到开关电流已经超过预设值时,就确定一个故障标记,开关则关断一段时间,关断时间长短由一个外部定时电容器设定。经过预定冷却时间之后,LTC7003 自动重试。

LTC7003 用来接收一个以地为基准的低压数字输入信号,并快速地驱动一个高压侧 N 沟道功率 MOSFET,该 MOSFET 的漏极可比地高 60V。当驱动一个 1000pF 负载时,快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。LTC7003 具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。

LTC7003 采用 MSOP-16 封装。可提供 3 种工作结温级版本,扩展和工业温度级版本的温度范围为–40°C 至 125°C,高温汽车级版本的温度范围为–40°C 至 150°C,而军用温度级版本的温度范围则为–55°C 至 150°C。千片批购价为每片2.30美元。

照片说明:60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器

性能概要:LTC7003   

宽 VIN工作范围:3.5V 至 60V (65V 绝对最大值)

内部充电泵提供100% 占空比能力

1Ω 下拉、2.2Ω 上拉实现快速接通和关断时间

快速 35ns 传播延迟

短路保护

自动重启定时器

开漏故障标记

可调接通和关断转换速率

栅极驱动器电源范围为 3.5V 至 15V

可调电流限制

电流监视器输出

可调输入欠压和过压闭锁

低停机电流:1µA

CMOS 兼容型输入
 

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