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NXP MRFX1K80H晶体管,65V LDMOS技术让射频功率设计提速

关键词:NXP MRFX1K80H晶体管 LDMOS技术 射频功率设计

时间:2017-10-20 14:50:22      来源:中电网

NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶体管是MRFX系列射频 (RF) MOSFET晶体管,此系列器件采用了最新的LDMOS(橫向扩散金属氧化物半导体)技术。MRFX1K80H运用LDMOS技术来提高宽频应用的输出功率,同时维持适当的输出阻抗。

NXP MRFX1K80H LDMOS晶体管能在65V连续波时提供1800W功率,适用于1.8至470 MHz的射频应用,并且能在所有相角下提供65:1的电压驻波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗,可缩短整体开发时间。MRFX1K80H 设计用于30V到65V扩展级电源范围,并具备高击穿电压特性,能增强可靠性,提升效率。这种耐高压特性还可降低系统电流,从而限制直流电源上的应力并减少磁辐射。高输出功率还能减少晶体管数,简化功率放大器复杂度,并降低整体成本。

MRFX1K80H适用于具有适当偏置的线性应用,并提供集成静电放电 (ESD) 防护,改善C类放大器运行性能。MRFX1K80H的目标应用包括工业、科学与医疗 (ISM) 应用以及广播、航空航天与移动无线电设备。
 

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