Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

器件在10V下的最大导通电阻为0.58mΩ，栅极电荷为61nC，采用小尺寸PowerPAK^® SO-8单片封装

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N沟道TrenchFET^® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷，导通电阻还不到0.6mΩ，使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低，可使各种应用提高效率和功率密度。

今天发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK^®SO-8封装，是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比，SiRA20DP的典型栅极电荷更低，只有61nC，FOM为0.035Ω*nC，低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。

SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗，提高系统效率，实现更高的功率密度，特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能。器件的FOM较低，可提高开关性能，如通信和服务器电源中DC/DC转换，电池系统中的电池切换，以及5V到12V输入电源的负载切换。

这颗MOSFET经过了100%的R_G和UIS测试，符合RoHS，无卤素。

SiRA20DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十五周。