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TI推出业内最小、最快的GaN驱动器,扩展其GaN电源产品组合

关键词:TI GaN驱动器 GaN电源产品组合 场效应晶体管驱动器 LMG1020 LMG1210

时间:2018-03-09 09:36:29      来源:中电网

两款新型FET驱动器有助于纳秒级LiDAR应用和50MHz DC / DC转换器

德州仪器(TI)近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器,进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合,可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率,并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。

凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度,LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片(WCSP)封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm,有助于最大限度地减少栅极环路寄生和损耗,进一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半桥驱动器,专为高达200 V的GaN场效应晶体管而设计。该器件的可调死区时间控制功能能够将高速DC / DC转换器、电机驱动器、D类音频放大器及其它功率转换应用效率提高多达5%。设计人员可利用超过300 V / ns的业内最高共模瞬态抗扰度(CMTI)实现较高的系统抗噪声能力。

LMG1020和LMG1210的主要特点和优势

高速:这两款器件可提供超高速传播延迟(2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]),使电源解决方案比采用硅驱动器快50倍。另外,LMG1020能够提供高功率1ns激光脉冲,实现远程LIDAR应用。

高效率:这两款器件均可实现高效率设计。 LMG1210提供1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制,可将效率提高多达5%。

功率密度:LMG1210中的死区时间控制集成功能可减少元件数量并提高效率,使设计人员能够将电源尺寸降低多达80%。功率密度增加的LMG1020,使LIDAR具有业内最小封装和最高分辨率。

TIGaN产品的优势

LMG1020和LMG1210是业界最大的GaN电源产品组合中的最新成员,从200V驱动器到80V和600V功率级。凭借超过1,000万小时的GaN工艺可靠性测试,TI提供可靠的GaN产品以满足对成熟和即用型解决方案的需求,为GaN技术带来数十年的硅制造专业技术和高级器件开发人才。

加快设计所需的支持和工具

设计人员可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和SPICE模型快速轻松地评估这些新器件。工程师可以利用LIDAR的纳秒激光驱动器参考设计和高速DC / DC转换器的多兆赫GaN功率级参考设计,快速开始他们的氮化镓设计。

封装和供货情况

LMG1020和LMG1210的原型样品现已在TI商店和公司的授权分销网络上提供。LMG1020采用WCSP封装,而LMG1210采用四方扁平无引脚(QFN)封装。
 

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