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埃赋隆宣布面向ISM应用推出业界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶体管

关键词:2kW RF功率LDMOS晶体管 射频功率器件

时间:2019-05-09 14:15:02      来源:埃赋隆半导体

埃赋隆半导体(Ampleon)现在宣布基于其成熟的第9代高压LDMOS工艺技术派生出高级加固技术(Advanced Rugged Technology,ART),并借此开发出新系列射频功率器件中的首款产品。这个新工艺的开发旨在用于实现极其坚固的、工作电压高达65V的晶体管。

首款采用该工艺的产品ART2K0FE是一款2kW的晶体管,其频率响应为0至650MHz,采用气腔陶瓷封装。其设计能够承受工业、科学和医疗(ISM)应用中常见的最恶劣的条件,可用于驱动大功率CO2激光器、等离子发生器和一些MRI系统。ART器件之所以适用于这些应用,是因为其可以处理65V条件下高达65:1的驻波比(VSWR)失配,而这在CO2激光器和等离子发生器工作时可能碰到。

基于ART工艺开发的器件具有很高的阻抗,因此在开发阶段更容易将其集成到产品中,并确保在批量生产中具有更高的产品一致性。该工艺还可使所开发的器件比LDMOS竞争产品更加高效。这样便可通过节省输入电能,降低发热,来降低最终应用的运营成本。此外,采用该工艺的器件还可实现更高的功率密度,也就是说,它们可以采用更小、更低成本的封装,从而减少其电路板占位面积,进而降低系统成本。

ART器件还具有高击穿电压,有助于确保它们在整个预期寿命期间始终如一地可靠工作。埃赋隆半导体还保证这类器件可以供货15年,从而使产品设计人员可以进行长期规划。

采用气腔陶瓷封装的ART2K0FE现可提供样品,并有不同频率的参考电路可以选择。埃赋隆半导体还提供较低热阻的超模压塑料版本ART2K0PE。两种版本预计在2019年下半年量产。

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