Vishay推出新款共漏极双N沟道60V MOSFET，提高功率密度和效率

器件适用于24 V系统双向开关，最佳R_S‑S(ON)典型值低至10 mW，单位面积R_S-S(ON)达业内最低水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK^® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低R_S-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。

日前发布的双片MOSFET在10V电压下R_S-S(ON)典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件，比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。

从而降低电源通道压降，减小功耗，提高效率。为提高功率密度，SiSF20DN的R_S1S2(ON)面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %，甚至包括6 mm x 5 mm较大封装解决方案。

为节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用优化封装结构，两个单片集成TrenchFET®第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列，加大连接提高PCB接触面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。