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UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET

关键词:UnitedSiC SiC FET器件 DFN 8x8表面贴装封装

时间:2020-02-04 11:20:30      来源:中电网

UnitedSiC宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8,这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件,使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。

美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDSon的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8,这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件,使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。

新发布的产品应用范围包括无线和电信系统中50~500KHz频率范围的LLC和相移全桥(PSFB)功率转换,以及功率因数校正(PFC)中的标准硬开关等领域。

新产品中的UF3SC065030D8S是650V SiC FET,RDSon为34mΩ。而UF3SC065040D8S也是650V SiC FET,但RDSon为45mΩ。这些新产品在该电压等级的DFN 8x8封装开关器件中具有最低的RDSon。两款SiC FET的额定电流均为18A(受封装中的引线数量限制),最高工作温度为150℃。

这些器件采用UnitedSiC独特的堆叠式共源共栅(stack cascode)配置,将常开型(normally-on)SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起,从而构建出常关型(normally-off)SiC FET器件。 SiC FET可以采用0~10V或0~12V电压驱动,其栅极驱动特性与标准Si FET、IGBT和SiC MOSFET的栅极驱动特性完全匹配。这些器件还具有开尔文栅极返回(Kelvin gate return)功能,以实现更完美的驱动特性。

SiC FET与其他DFN 8x8封装开关器件引脚兼容,能够通过“直接替换”而实现性能改进。由于其较低的功耗,能够在较高频率下进行开关,设计人员可以在空间有限的设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度。此外,扁平型DFN 8x8表面贴装封装可支持低电感设计。通过使用烧结银(sintered silver)芯片贴装技术,可以实现非常低的结壳热阻。

UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性,因而非常适合于在任何采用标准栅极驱动器的应用中开关电感负载。新产品在高达500KHz的开关频率下驱动器损耗最小,还可用于高频设计。由于这些器件坚固耐用,具有低反向恢复电荷(Qrr),因此可轻松进行硬开关操作。

所有这些器件均具有内置的ESD保护,DFN8x8器件的防护等级为MSL3。售价方面,UF3SC065030D8S的参考单价为10.92美元,UF3SC065040D8S的参考单价为7.70美元。

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