Transphorm的第二款900 V GaN场效应晶体管现已投入生产

Transphorm宣布，该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。

开发和制造高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率半导体的先驱Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布，该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。主要目标市场是广泛的工业和可再生能源，包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源、照明和储能等应用。此外，凭借900 V产品组合，Transphorm正逐步扩大电压范围，以涵盖三相应用。

去年推出的TP90H050WS是该公司继TP90H180PS之后的第二款900 V器件。双芯片式常关型功率晶体管采用标准TO-247封装，具有±20 V栅极鲁棒性，从而提高其在电力系统中的可靠性和可设计性。Transphorm的高速GaN与耐热性强的TO-247封装相结合，使系统在具有无桥图腾柱功率因数校正(PFC)的典型半桥配置中可获得超过99%的效率，同时产生高达10 kW的功率。

Transphorm技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm在其900 V平台上所做的工作展示了高压氮化镓功率晶体管所具备的功能。该器件使我们能够支持我们之前无法涉足的应用。在提供这些50毫欧FET的样品时，我们见证了来自客户的浓厚兴趣。我们可以自豪地说，它们的供应状态现已转变为能够满足客户需求的大批量生产。”

900 V GaN应用

伊利诺伊理工学院(IIT)目前正在一个先进能源研究计划署(ARPA-E)的Circuits计划中利用TP90H050WS开展相关工作，该计划将Transphorm的前沿产品与IIT的创新型固态开关拓扑独特结合。该项目将为可再生能源微电网生产可靠的固态断路器(SSCB)。它包括使用900 V GaN器件开发自主操作、可编程的智能双向SSCB。

伊利诺伊理工学院的John Shen博士解释道：“我们的SSCB项目需要一种非传统的电源转换解决方案，该解决方案不仅要在速度方面优于机械式断路器，而且还需要帮助我们降低功耗。Transphorm的GaN技术超出了我们的预期。它提供完整封装、 高功率密度、可靠的双向性，并且作为市面上唯一的900 V GaN器件，以一种小型封装提供了前所未有的功率输出。”

900 V评估板

Transphorm借助其直交逆变器评估板来继续简化开发工作。TDINV3500P100-KIT采用四件TP90H180PS 170毫欧FET设计，使用全桥拓扑来支持以100 kHz或以上频率运行的单相逆变器系统。

该评估板及两款已投产的900 V晶体管可通过Digi-Key和Mouser获取。