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Vishay推出新款200VN沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源

关键词:Vishay MOSFET

时间:2020-09-23 12:01:54      来源:中电网

TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²

日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK®1212-8S封装,10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时,经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为854mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来提高功率密度,占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。

日前发布的TrenchFET®第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20 %,FOM比上一代解决方案低17 %。这些指标降低了导通和开关损耗,从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗,但体积大的MOSFET,节省PCB空间,或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。

SiSS94DN适用于隔离式DC/DC拓扑结构原边开关和同步整流,包括通信设备、计算机外设、消费电子;笔记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光;以及GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。

器件经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS94DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。
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