Integra推出首款100V射频氮化镓产品/碳化硅(SiC)技术

Integra今天推出业界首创的100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。在100V工作时，此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率，打破了射频功率的性能屏障。与更常见的50V/65V氮化镓技术相比，Integra的100V氮化镓技术使设计师能够大幅提高系统的功率水平和功能，同时还能采用更低功率的组合电路来简化系统架构。客户最终可以受益于更小的系统占用空间和更低的系统成本。

Integra总裁兼首席执行官Suja Ramnath表示：“Integra的100V射频氮化镓技术的问世是高功率市场的一个重要里程碑。此项创新技术可以消除目前限制系统性能的障碍，并支持采用以前无法实现的新架构。我们很高兴这种颠覆性技术将使我们的客户能够提供新一代高性能、多千瓦射频功率解决方案，同时减少他们的设计周期时间和降低产品成本。”

航空航天与国防雷达系统架构师、技术主管Mahesh Kumar博士表示：“市场首创的Integra 100V射频氮化镓技术将彻底重新定义高功率射频系统的可能性。”此项技术与单个封装的50V氮化镓晶体管相比，可以提供约为其两倍的功率，因此可以去除大量的合成器和相关的电子电路，从而缩小系统体积，减轻重量和降低成本，同时提高系统效率。

Integra的首款100V射频氮化镓产品是IGN1011S3600，专为航空电子应用而设计。IGN1011S3600输出功率为3.6千瓦，增益19dB，效率70%，在业界领先。IGN1011S3600基于Integra的100V射频氮化镓技术，对于需要改进尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的项目来说，是一款极具吸引力的解决方案。可以向具有资质的客户提供IGN1011S3600 100V射频氮化镓/碳化硅产品的样品。