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Qorvo 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

关键词:Qorvo E1B 封装 SiC 模块

时间:2024-03-01 09:50:05      来源:Qorvo

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。

Qorvo 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块.png

Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示:“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET,从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行,通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程,让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证,无需应对多个分立式元件。”

以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置,最大限度地降低了导通电阻和开关损耗,从而能够极大地提升效率,这一优势在软开关应用中尤为显著。另外,银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W;与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合,其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性,这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用,而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列:

产品型号

描述

RDS(on)@25C(mΩ)

UFB15C12E1BC3N

1200V,15A SiC 全桥模块

70

UFB25SC12E1BC3N

1200V,25A SiC 全桥模块

35

UHB50SC12E1BC3N

1200V,50A SiC 半桥模块

19

UHB100SC12E1BC3N

1200V,100A SiC 半桥模块

9.4


Qorvo 功能强大的设计工具套件(例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件)有助于产品选择和性能仿真。如需详细了解有关 Qorvo 先进的工业应用 SiC 解决方案,请访问 cn.qorvo.com/go/sic。

Qorvo SiC 模块系列已在美国加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会(APEC)上进行了首次亮相。更多信息,请访问 Qorvo APEC 2024 页面。

关于 Qorvo

Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)提供各种创新半导体解决方案,致力于让我们的世界更美好。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模,快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 面向全球多个快速增长的细分市场提供解决方案,包括消费电子、智能家居/物联网、汽车、电动汽车、电池供电设备、网络基础设施、医疗保健和航空航天/国防。访问 www.qorvo.com ,了解我们多元化的创新团队如何连接地球万物,提供无微不至的保护和源源不断的动力。

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