“至信微碳化硅（SiC）技术的高性能芯片，核心参数如下:正向电阻温漂特性出色，电磁优化设计,输入电阻更小、门极电荷更低,器件电容低（输出、反向传输电容行业领先）
”
至信微碳化硅（SiC）技术的高性能芯片，核心参数如下：
性能优势
正向电阻温漂特性出色，电磁优化设计
输入电阻更小、门极电荷更低
器件电容低（输出、反向传输电容行业领先）
耐浪涌和短路能力超强
体二极管性能优异（低正向压降、低反向恢复电荷）
工作温度可达 175℃且保持常闭稳定
应用价值
与商用驱动器兼容，全温域低导通损耗，振荡大幅降低
开关速度与效率提升，开关尖峰少、损耗低
功率密度和系统效率更高
易于并联且杜绝热失控风险，系统可靠性卓越
应用领域
电力系统
辅助电源、1500V 光伏逆变系统
工业控制
工业电机（交流伺服）、通用逆变器
特种电源
脉冲电源、压电驱动器、离子束发生器
关于至信微电子
深圳至信微电子有限公司专注于第三代半导体技术的研发，拥有行业领先的设计能力和制造工艺。该公司率先在国内研发成功车规级碳化硅MOSFET，并已通过国内汽车客户的样品测试。拥有多位行业专家组成的技术团队，具备坚实的专业理论基础和丰富的实践经验，展现出高水平的研发能力和多年培养的产品可靠性质量意识，能够全面、持续、稳定地满足客户需求，提供符合高标准的产品和服务。
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