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时间：2002-06-04 13:46:00 来源：中电网
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”| Siliconix公司30V的N沟TrenchFET MOSFET 系列能使手提计算机和游戏机运行时更凉爽，使用更小功率，工作时间更长. |
| 目标在内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路，同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比，这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.Si4364DY 和Si4858DY是优化而用在低端同步整流，最大限度地降低导通损耗，增加效率，通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右. |
| Si4364DY的5.5 m欧姆低导通电阻和栅极电荷62nC，可使它用在200到300kHz的频率范围，其栅极驱动采用5V.对采用5V栅驱动更高频率500kHz到1MHz以及采用5V栅驱动的任何频率，Si4858DY有更低的栅极电荷30.5nC和在4.5V栅驱动时导通电阻7m欧姆. |
| Siliconix的Si4860DY是为低端和高端工作而设计的.在4.5V栅驱动时导通电阻11m欧姆，使得该器件在低端工作时导通损耗低.作为高端MOSFET，Si4860DY降低了开关损耗，导致更高效率的控制.该器件的开态延迟时间为18ns,低栅极电荷典型值为12nC，这就是说，比能处理10到25A输出电流的同类产品低27%.因此当用在高端和低端时，Si4860DY的导通电阻和栅极电荷的乘积要比同类产出产品低大约22%. |
| 低栅源栅漏电荷比0.57，0.7和0.8以及1 到1.4 欧姆低栅极电阻，防止了高断和低端的MOSFET在导通时的击穿，引起输入电压对地的短路.这种防击穿保护使设计者采用不昂贵的MOSFET驱动器以减少元件的成本. |
| Si4364DY, Si4858DY, 和Si4860DY是SO-8封装，工作结温和储存温度在-55°C到150°C之间.Si4860DY也有DPAK封装，型号为SUD50N03-10CP和TO-251封装，型号为SUY50N03-10CP以及D2PACK封装，型号为SUM85N03-08P.100K数量时单价为0.87美元.下图为产品应用示意图.详情请上网：www.vishay.com. |
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| 2002.06.04 |
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