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”| 日立(Hitachi)半导体公司推出了单片1G位AND闪存，其写入速度达到每秒10M字节。 |
| 根据其专有的辅助栅AND型(AG-AND)多层单元的闪存技术，HN29V1G91存储器芯片能在大约13秒内记录128M字节的数据，相当于两小时CD质量的MP3音乐。它也适用于高档数码相机，以产生高分辨率的图像大文件和提供活动图像。 |
| HN29V1G91的其它应用包括手机和有无线功能的PDA，能接收宽带发送的图像以及工业应用的高性能固态数据设备。 |
| 为了节省板的空间，存储器采用小型48引脚TSOP 1型封装，和日立前面的产品512M位闪存产品一样。1G位器件在引脚排列和指令是和NAND型接口兼容的，只要稍为修改一下软件就能代替。 |
| 上电时的阅读功能，当系统上电时通过控制CE和RE引脚就能阅读多达2K字节的数据而不用指令或输入地址。这方便了起动过程。支持的工具如功能描述模式，C语言参考库等，将会在2000年10月起用，以帮助系统设计。 |
| AG-AND闪存单元采用新颖的辅助栅区绝缘方法，以得到比传统浅槽绝缘(SGI)方法的更高的密度。这使得1G位的器件比用0.18微米工艺所生产的512M位的要小。 |
| 闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程，以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率，进行低电流快速并行写入。 |
| 日立公司计划采用多层单元技术来开发1G位闪存和其它器件的闪存控制器。HN29V1G91的样品今年十月份可提供，价格为65美元。下图为它的外形图。详情请上网：www.hitachi.com/semiconductor |
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2002.07.23 |
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