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满足高功率汽车应用的MOSFET

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时间:2002-08-27 16:23:00      来源:中电网

8月26日讯,皇家飞利浦电子集团近日推出适用于汽车应用的尖端技术MOSFET 新系列。这套高性能汽车(HPA)TrenchMOS 系列可降低导通电阻,提高耐用性并且改善用于电子动力辅助转向系统(EPAS)、集成启动器交流发动机(ISA)和其他主要的电机驱动器等高电流应用的开关性能。

MOSFETS的HPA TrenchMOS系列基于飞利浦成熟的Trench技术,可全面提高汽车负载驱动的性能。该系列采用先进的亚微米工艺,可大大改进性能和优化器件,以满足汽车动力应用的严格要求。该器件可用于所有30、40、55、75和100V普通的汽车击穿电压等级,并且符合汽车分立半导体产品的汽车电子标准AEC Q101。

飞利浦半导体车内动力部国际产品市场经理Steve Sellick表示:"HPA TrenchMOS 系列证明了飞利浦在用于汽车的Trench技术方面的创新和领先地位。这是对飞利浦的功率半导体产品系列进行的重大扩展,将使我们能够同时满足当前和未来对更高功率的汽车应用的技术要求。在有了这套新系列之后,我们迅速地推出了多种合格的产品。因为我们认识到,随着技术和成本压力不断提高,我们的客户需要优化设计。"

这套新系列可将特定电阻的性能至少提高25%,大幅度降低标准分立功率封装内的损耗。目前TO220器件的导通电阻值最低为2.3 mOhm,最大为2.7 mOhm。亚微米沟宽可减少栅-漏电容,降低栅电荷,从而提高开关速度。对于高电流应用越来越重要的耐用性,也得到大大改进。更多的新产品将在2002年内推出,包括DPAK器件,其电阻值低至7 mOhm。

下图为产品示范图。详情请查询 www.semiconductors.philips.com


2002.08.27
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