汽车电子中的更高效率MOSFET

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时间：2002-09-09 11:45:00 来源：中电网

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9月5日讯，国际整流器(International Rectifier)公司推出一种汽车电子用的HEXFET功率MOSFET的延伸和改进型，导通电阻比先前器件的低10%。新系列包括有IRFR3504和IRFU3504，导通电阻为9.2毫欧姆，是目前市场中汽车电子MOSFET符合Q101质量标准的D-Pak和I-Pak封装中性能最好，导通电阻最低的。

其典型应用包括有新兴的42V和目前的12V汽车电子亚系统如冷风扇控制，综合起动交流发电机(ISAD)电路，同步整流交流发电机，电力转向(EPS)，燃油注入器，电磁线圈和继电器驱动，空气袋系统，抗锁住刹车系统和门窗升降等。

新型MOSFET的低导通电阻增加了效率，降低能源损耗和热阻，能承受175度的反复雪崩击穿。TO-20和D-Pak器件有Q101质量标准，完全符合汽车应用中所标明的雪崩击穿能量(单脉冲，EAS和重复，EAR)额定值。D2Pak和TO-262封装是工业级标准的。

定货量为10K时，IRFR3405的价格为$0.849。上图为产品外形图。下表为各种MOSFET的主要性能表。详情请上网：www.irf.com

2002.09.09

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