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IRF7335D1:双MOSFET和二极管

关键词:其它

时间:2002-09-17 11:16:00      来源:中电网

9月12日讯,IR公司推出两个N-MOSFET和两个萧特基二极管封在一个SO-14封装的器件IRF7335D1,在今天的双MOSFET-萧特基共封装中,电流处理能力最大;和IR公司以前的产品IRF7901D1相比,电流能力提高40%;和分立器件相比,节省60%的空间。

IRF7335D1输入是标准的12V,有5V,3.3V 和1.7V输出电压的同步充跳转换器能传输达11A的电流,用在笔记本电脑和台式计算机,游戏控制台和互联网设备。共封装结构简化了版图设计,降低了封装和装配成本,增加功率密度,简化采购备料。

IRF7335D1中的两个MOSFET是单独优化其控制和同步开关功能的。同步的MOSFET有低的导通电阻,减少导通损耗。控制MOSFET有低的栅极总电荷和栅-漏电荷,减少开关损耗,有30V的击穿电压,满足处理输入尖锋电压的要求。内部的萧特基二极管有低正向压降,以满足快速和有效的开关。

IR公司的手提产品市场部经理Shawn O'Grady说。 "新的双FEIKY Co-Pak的SO-14封装有客户定制的引线框,以改善热特性和多芯片能力。此外,这种结构还最小化器件的包装以及同步FET和并联萧特基二极管之间的PCB寄生电感,简化了板的布图,增加了效率。"

下图为产品的外形图,下表为产品的主要性能。


Part NumberPackage

ID

@TPCB=

100oC(A)

VDS(V)

RDSon(max)m

欧姆@

VGS= 4.5V

Qg typ(nC)Qgd typ(nC)
Q1Q2Q2 + Diode12.8Q1Q2 + DiodeQ1Q2 + Diode
IRF7335D1SO-141130 3017.512.813.3 15.6 4 5.4
Note: Q1=Control MOSFET, Q2=Synchronous MOSFET
10K定货量时价格为$1.25详情请上网:www.irf.com

2002.09.17
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