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FDN035AN06A0:最低RDS(on)60V功率MOSFET

关键词：其它

时间：2002-10-21 11:45:00 来源：中电网

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十月三日讯，Fairchild公司推出三种新型60V N沟MOSFET，特别设计用于大电流汽车电子应用如马达/人体负载控制，ABS(自动刹车系统)，动力管理和注入系统。FDB035AN06A0, FDP038AN06A0 和FDD10AN06A0是Fairchild公司目标应用在汽车电子的中等电压(60V-150V)PowerTrench?产品的第一种60V器件。(在2002年五月，Fairchild推出了三种用于42V汽车电子的-%VMOSFET。)这个系列中的MOSFET成功通过了国际上认可的AEC Q101规范的认证。该公司的Power Trend技术能在每个封装中提供业界最低的导通电阻RDS(on)。

由于有很低的栅极电荷，这些中等电压器件特别适合于大电流应用，特别是在许多新型汽车电子应用中，几种器件必须要并联以得到很低的总的开关电阻。因为Power Trend MOSFET的低栅极电荷，所需要的驱动电流能降低，从而减小了驱动电路的体积。例如，FDB035AN06A0的总栅极电荷为12nC和超低的RDS(on)(TO-263室温下最大值为3.5毫欧姆)。下表为三种新器件的主要指标：

Part Number	Breakdown Voltage	RDS(on) (RT max @ Vgs=10V)	Total Gate Charge Qg(tot) (RT max)	Package
FDB035AN06A0	60V	3.5 m欧姆	124 nC	TO-263
FDP038AN06A0	60V	3.8 m欧姆	124 nC	TO-220
FDD10AN06A0	60V	10.5 m欧姆	37 nC	TO-252

1K量时FDB035AN06A0 和FDP038AN06A0的价格为$3.8，FDD10AN06A0为$1.32.详情请上网：www.fairchild.com

2002.10.21

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