NTLTD7900：电池管理FET占位小于48%

关键词：功率放大器

时间：2002-10-30 11:28:00 来源：中电网

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10月24日讯，安森美公司推出双N-沟共漏功率MOSFET NTLTD7900，用于手持电子如手机，寻呼机和PDA的锂离子电池管理。

NTLTD7900是9A不是20V器件，设计用在一元和两元锂离子电池盒的保护电路。它的封装是3.3x3.3mm Micro-8LL无引脚封装，和其它的TSSOP-8封装的同类产品相比，降低它在板的占位面积达48%。

NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)为26耗欧姆，最小化功率消耗，所以延长电池的寿命。它的热阻降低到82度/W，而TSSOP-8为88度/W。所以，虽然Micro-8LL封装更小，但是不影响性能。齐纳二极管保护栅使静电放电(ESD)保护超过工业上的要求。栅二极管集成到FET，电路中不用另接分立的背对背齐纳二极管。特别要提的是，该器件能经受住4000V人体模拟(HBM)电压，非常适合用在手持产品中。

10K量的NTLTD7900价格为$0.35.下图为产品外形。详情请上网：http://www.onsemi.com/techs

2002.10.30

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