FM24CL04:4Kb FRAM延长电池寿命

关键词：存储器

时间：2002-11-20 15:07:00 来源：中电网

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10月29日讯，Ramtron 公司推出新的低功耗4Kb铁电RAM(FRAM)FM24CL04,工作电压为3V。器件和工业标准的串行EEPROM兼容，工作电流只有75微安，比EEPROM低13倍。因此极大延长了手提设备中的电池寿命。FM24CL04的快速读和写能也节省FRAM用户的装配时间和成本。

该器件能在2.7-3.3V下工作，在0.5ms内编程，而EEPROM则需要0.5s。它不需要延时，在标准总线的写入速度达1MHz，而EEPROM的写入时延就要10ms。和EEPROM的100万次写入周期相比，8引脚OIC封装则有无限次写入周期，工作温度在0-85度C其数据可保存10年。10K量的价格为$0.46。下图为产品外形图。详情请上网：http://www.ramtron.com

2002.11.19

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