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高密度128Mb假SRAM系列

关键词:存储器

时间:2003-01-15 14:33:00      来源:中电网

1月14日讯,Toshiba公司推出128Mb高密度假SRAM存储器(PSRAM)系列TC51WHM716AXBN和TC51WKM716AXBN。PSRAM是把SRAM最受欢迎的SRAM和DRAM特性结合在一起,给无线和手提通信产品设计者提供容易使用,低功耗的存储器解决方案。


这种最新的东芝PSRAM是在市场上能得到的最高密度的PSRAM,有最低的待机功耗。该器件是8字页存取模式,能进行高速接入和改进性能。该器件也支持部分阵列刷新,以进一步降低待机功耗。


128Mb PSRAM 的TC51WHM716AXBN采用单电源工作,内核和I/O口的电压范围从2.6V 到3.3V。第二个128Mb的TC51WKM716AXBN支持1.8V I/O,其最大的待机电流250微安,支持深降功耗模式,待机电流为3微安。


器件的封装为69针FBGA封装,进一步板的空间。此外,Toshiba还提供省空间的堆栈MCP封装,集合了PSRAM和其它存储器产品如SRAM,NOR闪存和NAND闪存。
下表为产品的主要性能:
型号
TC51WHM716AXBN
TC51WKM716AXBN
配置
8Mb x 16
设计规则
0.175 微米
工作电压
2.6V 到3.3V (核 & I/O)
核:2.6V 到 3.3V I/O:1.65V 到1.95V
存取时间(最大)
70ns
75ns
待机电流(最大)
250微安
深待机电流(最大)
3微安
封装
9x12mm 69-针FBGA (0.8mm 球间距)
2003年一月可提供128MbPSRAM的样品,价格为$41.量产安排在2003年三月份。详情请上网:www.toshiba.com

2003.01.15
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