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”| 1月20日讯，ST公司推出几种新型特殊应用的闪存器件M58WRXX系列，有更好的性能而不会影响成本效率。新器件包括M58WR128E，它最适合用在手机，PDA和类似的移动应用，而M58LWXXXC系列则适合用在机顶盒(STB)。 M58WR128E是高性能128Mb闪存器件，具有非对称的区块结构。263个区块阵列分成4Mb一组，其中的31组，每组有8个32K字的主区块，一个参数组包括有8个4K字的参数区块和7个32K字的主区块。多组结构允许同时进行两种操作，即在一组内编程或擦除时，在另一组可进行读操作。M58WR128ET的参数区块在存储器地址空间的上部，M58WR128EB的则在底部。每个区块能进行超过10万次的编程/擦除。 M58WR128E的工作电压为1.8V,其特性包括有突发模式，快读和编程操作以及区块级的擦除和锁住。器件的存取时间有70,85 和100ns几种，能进行异步和同步操作。在同步突发模式，数据读能在54MHz的时钟的每一周期内进行。 由于是单个区块锁住的方案，任一区块能被锁住或开启而不用等待，允许数据和代码瞬态保护。此外，在加电时和编程电压下降到某一数值时，所有区块是锁住的。为了增加数据保密性，M58WR128E包括有192位保护寄存器和安全区块。寄存器分成两部分：64位由ST公司编程，128位由用户一次性编程(OTP)。安全区块是参数区块0，能由用户永久地写保护。高密度，灵活性和低功耗使M58WR128E很适合用在无线手持和其它手提产品。现在可提供M58WR128E的样品，批量在2003年第二季度。器件也有多元地址/数据总线版本。 M58LW032C和M58LW064C是32Mb 和64Mb的器件，采用0.15um工艺制造。所有的器件有先进的特性如同步突发读模式高达56MHz，页读模式的存取时间为110ns/25ns和单独的区块保护。异步随机读操作的存取时间为110ns。器件有X8/X16宽的数据总线，编程，擦除和读操作采用单电源2.7-3.6V，独立的I/O缓冲器VDDQ的电源从1.8V到VDD。器件包括有特殊的安全性能，例如通过永久性锁住选择的区块以避免重新编程。 M58LW032C和M58LW064C闪存对于代码和数据的存储是极好的单片解决方案。因此很适合用在诸如机顶盒，通信(手机，PDA)，网络(路由器)，PC和外设(打印机)，汽车电子(汽车多媒体平台)和工业应用(GPS系统，医疗设备)。下图为产品的外形图。详情请上网：www.st.com/flash |
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