DiskOnChip G3:512Mb MLC NAND 闪存盘

关键词：闪存盘

时间：2003-02-27 14:10:00 来源：中电网

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2月23日讯，M-Syatems公司推出一种移动DiskOnChip G3 512Mb闪存盘，它采用0.13um多级单元(MLC）NAND技术，在单一NAND存储单元中能存储两位信息。由于采用先进的内置控制器和独特的闪存媒体结构，移动DiskOnChip G3有增强的性能和无可匹敌的可靠性。其封装尺寸为85引脚的7x10x1.2mm FBGA，是业界最小的高容量非易失的存储器，能存储数据和代码，内部总线32位，支持DMA(64KB)和多突发式存取时间25ns(80MB/s)，NOR类接口，容易使用，内核工作电压3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗仅10uA，内置的2KB XIP引导区使它能完全替代NOR闪存。其它特性包括有突发模式读速度高达80MBps。

该器件采用EDC/ECC和TrueFFS技术，以改善数据完整性。安全特性包括有16B独特的ID号和6KB OTP区域，以缩短用户和产品特别信息。量大时的单价为$15。下图为产品的外形图。详情请上网：http://www.m-sys.com 或电话：510-494-2090

2003.02.27

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